Институт энергетики, приборостроения и радиоэлектроники ТГТУ

[Вложение без текста]

В рамках профориентационной деятельности для учащихся старших классов муниципального автономного общеобразовательного учреждения средней общеобразовательной школы №2 города Тамбова, специализирующейся на программе «Базовой инженерно-технологической подготовки», состоялась научно-практическая встреча с представителями Тамбовского государственного технического университета (ТГТУ). В мероприятии приняли участие авторитетные специалисты: заведующий кафедрой «Конструирование радиоэлектронных и микропроцессорных систем» (КРЭМС) ТГТУ, кандидат технических наук, член Союза машиностроителей России Чернышов Николай Генрихович, а также доцент данной кафедры, кандидат технических наук Шульгин Алексей Алексеевич. Представители университета представили одно из наиболее востребованных и перспективных направлений подготовки в области инженерного и технологического образования. Особое внимание было уделено внедрению практико-ориентированного подхода в учебный процесс, что позволило старшеклассникам получить детальное представление о компетенциях и навыках, приобретаемых в рамках данной образовательной траектории, а также о перспективах трудоустройства после окончания обучения. Гости подчеркнули высокий уровень востребованности выпускников ТГТУ на современном рынке труда. Мероприятие было организовано в рамках проекта «Ассоциированные школы Союза машиностроителей России» в Тамбовской области, направленного на формирование у школьников осознанного подхода к выбору будущей профессиональной деятельности. Такие встречи предоставляют старшеклассникам уникальную возможность ознакомиться с потенциальными работодателями и образовательными учреждениями еще до поступления в высшее учебное заведение, что способствует их профессиональной ориентации и личностному развитию.

Молодые учёные кафедры «Электроэнергетика» активно участвуют в образовательных инициативах, направленных на популяризацию передовых научных достижений и инновационных разработок в области электроэнергетики среди учащихся школ Тамбова. Эти мероприятия являются важным элементом системной профориентационной работы, проводимой Институтом энергетики, приборостроения и радиоэлектроники, которая ориентирована на повышение привлекательности инженерных специальностей для школьников. Старший преподаватель кафедры «Электроэнергетика», Анастасия Терехова, провела лекцию для учащихся старших классов МАОУ СОШ №2 г. Тамбова, известной как «Школа базовой инженерно-технологичной подготовки». В ходе лекции были рассмотрены ключевые аспекты развития науки и техники, а также перспективы карьерного роста в высокотехнологичных отраслях. Особое внимание было уделено последним достижениям учёных в области энергетики, с акцентом на два перспективных направления: разработку новых материалов и развитие атомной промышленности. Анастасия Терехова подчеркнула значимость понимания школьниками того, что за сложными технологиями стоит напряжённый труд тысяч учёных и инженеров. Она отметила, что современная наука предоставляет уникальные возможности для самореализации в таких перспективных областях, как атомная энергетика и создание новых материалов. По её мнению, учащиеся инженерных классов, которые в настоящее время получают профильное образование, через несколько лет будут играть ключевую роль в формировании технологического облика страны и развитии промышленности региона. Данное занятие стало частью комплексной профориентационной программы кафедры «Электроэнергетика», направленной на формирование у школьников осознанного подхода к выбору будущей профессии. Подобные мероприятия способствуют углублению понимания учащимися потенциальных возможностей, которые открывает перед ними инженерное образование, особенно в таких востребованных областях, как энергетика и материаловедение. Эксперты отмечают, что эти специальности сегодня занимают лидирующие позиции на рынке труда, что делает их особенно привлекательными для молодых талантов.

В рамках продолжения традиции профориентационных мероприятий, реализуемых нашим институтом в тесном сотрудничестве с акционерным обществом «Тамбовский завод «Революционный труд», студенты, обучающиеся по направлению подготовки «Радиотехника», посетили данное промышленное предприятие. В ходе визита была организована экскурсия по производственным площадям и инновационным центрам разработок, что позволило студентам ознакомиться с передовыми технологиями и методологическими подходами, применяемыми в области радиоэлектроники. Данное мероприятие способствует формированию у будущих специалистов комплексных представлений о современных высокотехнологичных предприятиях и их производственных процессах, что является важным этапом в их профессиональной ориентации и подготовке к будущей карьере.

Сегодня студенты "Института энергетики, приборостроения и радиоэлектроники", обучающиеся по направлениям подготовки «Радиотехника», «Конструирование и технология электронных средств» и «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», продемонстрировали высокий уровень профессиональной компетенции, приняв участие в престижном конкурсе «Лучший инженер-конструктор», организованном индустриальным партнером нашего университета, ПАО «Электроприбор». Конкурс проводился в номинации «Конструирование»/«Радиоэлектроника» и включал комплексную оценку как теоретических знаний, так и практических навыков участников. Теоретическая часть конкурса была направлена на оценку глубины понимания студентами фундаментальных аспектов проектирования радиоэлектронных систем. Участники продемонстрировали знание Единой системы конструкторской документации (ЕСКД), основ проектирования радиоэлектронных модулей, а также принципов обеспечения надежности и функциональной устойчивости радиоэлектронных систем. Вопросы теоретического этапа охватывали широкий круг тем, включающих базовые концепции радиоэлектроники, современные методологии проектирования и производства, а также передовые технологии в области разработки и интеграции радиоэлектронных компонентов. Практическая часть конкурса включала выполнение задачи по сборке электронного модуля с последующей проверкой его функциональных характеристик. Этот этап позволил студентам применить полученные теоретические знания на практике, а также развить практические навыки работы с современным оборудованием и специализированным программным обеспечением, используемым в радиоэлектронной отрасли. Успешное участие студентов в данном конкурсе свидетельствует о высоком уровне их профессиональной подготовки и стремлении к непрерывному развитию в выбранной сфере деятельности. Это также является подтверждением эффективности образовательных программ, реализуемых нашим университетом, в направлении подготовки высококвалифицированных специалистов для радиоэлектронной отрасли, способных решать сложные инженерные задачи и внедрять инновационные решения в области радиотехники и инфокоммуникационных технологий.

[Вложение без текста]

[Вложение без текста]

В этот знаменательный день, когда мы чествуем доблестных защитников Отечества, позвольте выразить искреннюю признательность за ваш самоотверженный труд, несгибаемую волю и преданность избранному делу. Ваши заслуги в обеспечении национальной безопасности и суверенитета государства являются краеугольным камнем стабильности и процветания нашей Родины. Желаю вам крепкого здоровья, неиссякаемой энергии и профессиональных успехов в решении задач, стоящих перед Вооруженными Силами и другими структурами, обеспечивающими безопасность государства. Пусть над вашей головой всегда будет мирное небо, а ваши семьи будут окружены заботой, благополучием и гармонией. Ваше мужество, профессионализм и преданность делу вызывают глубокое уважение и восхищение. Ваши усилия в обеспечении безопасности и защите национальных интересов являются залогом стабильности и процветания нашей Родины, а также примером истинного патриотизма и самоотверженности.

В продолжение серии публикаций, посвящённых инновационным технологиям и их эволюционному прогрессу, мы представляем обзор полупроводниковых гетероструктур, являющихся фундаментальным компонентом современной электроники. Эти композитные инженерные структуры, состоящие из многослойных плёнок с различными полупроводниковыми материалами, демонстрируют уникальные электронные характеристики, значительно превосходящие возможности традиционных гомогенных материалов. Гетероструктуры играют решающую роль в технологическом развитии, обеспечивая высокую эффективность и надёжность электронных систем, таких как высокочастотные транзисторы, солнечные элементы, светодиоды и лазеры. Отсутствие гетероструктур могло бы существенно замедлить технологический прогресс. Можно представить, что процессы загрузки видео на мобильные устройства занимали бы часы, а концепция высокоскоростного Wi-Fi оставалась бы лишь теоретическим предположением. Благодаря своей многослойной архитектуре, гетероструктуры позволяют точно контролировать движение электронов и фотонов, что делает их незаменимыми для создания современных электронных устройств. История разработки гетероструктур началась с теоретических исследований: в 1957 году Герберт Кремер предположил, что контакт различных полупроводниковых материалов может быть более эффективным по сравнению с традиционными схемами. К 1963 году как Кремер, так и Жорес Алфёров независимо предложили использовать такие структуры в лазерах. Однако на пути к практическому применению гетероструктур возникла значительная проблема: материалы с различными кристаллическими решетками не могли «совместиться», препятствуя их интеграции в электронные устройства. Прорыв в данной области был достигнут в 1968 году благодаря методу жидкофазной эпитаксии, разработанному Жоресом Алфёровым. Этот инновационный метод позволил идеально подогнать материалы с различными кристаллическими структурами, что привело к созданию первого в мире гетеролазера, работающего в непрерывном режиме при комнатной температуре. Таким образом, Алфёров опередил своих американских коллег, добившись ранее считавшегося невозможным результата. В 2000 году Жорес Алфёров (Россия) и Герберт Кремер (США) были удостоены половины Нобелевской премии по физике «За разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике», что стало признанием их фундаментального вклада в развитие данной области. Исследования Ж. И. Алфёрова и Г. Кремера привели к созданию ряда значимых технологических достижений, включая: — Полупроводниковые лазеры, ставшие основой для современных оптоволоконных линий связи, сканеров штрих-кодов, лазерных принтеров и других устройств. Эти лазеры обладают высокой эффективностью и надежностью, что делает их незаменимыми в телекоммуникационных системах. — Гетероструктурные транзисторы, используемые в мобильной связи, беспроводных сетях (Wi-Fi), технологии Bluetooth, спутниковой связи и других областях. Эти устройства демонстрируют улучшенные характеристики по сравнению с традиционными транзисторами, что позволяет значительно повысить производительность и энергоэффективность электронных систем. Таким образом, полупроводниковые гетероструктуры представляют собой важный этап в развитии современной электроники, открывая новые горизонты для научных исследований и технологических инноваций. Они являются ключевым компонентом в создании передовых электронных устройств, обеспечивая их высокую эффективность, надежность и функциональность.

[Вложение без текста]